傳統(tǒng)的硅微粉制取方法——SiH2Cl2法

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SiH₂C_l2也可以生長(zhǎng)高純度多晶硅，但一般報(bào)道只有100Ω·cm，生長(zhǎng)溫度為1000℃，其能耗在氯硅烷中較低，只有90kW·h/kg。與SiH₂C_l2相比有以下缺點(diǎn):它較易在反應(yīng)壁上沉淀，硅棒上和管壁上沉積的比例為100:1，僅為SiH₂C_l2法的1%;易爆，而且還產(chǎn)生硅微粉，一次轉(zhuǎn)換率只有17%，也比SiH₂C_l2法略低:最致命的缺點(diǎn)是SiH₂C_l2危險(xiǎn)性極高，易燃易爆，且爆炸性極強(qiáng)，與空氣混合后在很寬的范圍內(nèi)均可以爆炸，被認(rèn)為比SiH₄還要危險(xiǎn)，所以也不適合作硅微粉生產(chǎn)。然而，這類(lèi)傳統(tǒng)的制硅微粉方法存在明顯的不足之處還包括易產(chǎn)生雜質(zhì)，不利于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)，在制取過(guò)程中操作和裝置所引起的不同程度的沾污也將對(duì)其純度有很大影響。隨著硅微粉的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，對(duì)硅材料又提出了新的要求。如:降低各種有害雜質(zhì)含量和微缺陷，因此這個(gè)方法逐漸被時(shí)代淘汰。